Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC61T60NCX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC61T60NCX7SA1

SIGC61T60NCX7SA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC61T60NCX7SA1, 600V 75A kapasitesiyle tasarlanmış NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 225A darbe akımı (Icm) ile yüksek akım işleme kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 75A kollektör akımında 2.5V olarak belirtilmiştir. 65ns açılış ve 170ns kapanış gecikmesi (300V, 75A, 3Ohm test koşullarında) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C (TJ) çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. Güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devreleri, inverter tasarımları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılmaya uygundur. Dikkat: Bu komponent artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 75 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 225 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 65ns/170ns
Test Condition 300V, 75A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok