Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC57T120R3LEX1SA3
IGBT 1200V 50A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC57T120R3LEX1SA3
SIGC57T120R3LEX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC57T120R3LEX1SA3, 1200V/50A spesifikasyonuna sahip Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistörüdür. Die (kalıp) formunda sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 150A pulse collector akımı kapasitesi ve 2.1V (15V gate voltajında 50A'de) maksimum Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 1200V diyot-transistor break-down voltajı sayesinde endüstriyel invertörler, motor kontrol sistemleri, kaynak makinaları ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount uyumlu die paketi, yoğun entegrasyon gerektiren modern güç elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok