Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC54T60R3EX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V 100A WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC54T60R3EX7SA1

SIGC54T60R3EX7SA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC54T60R3EX7SA1, 600V kırılma voltajına sahip Trench Field Stop teknolojili IGBT transistördür. 100A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. Pulse modunda 300A'ya kadar akım taşıyabilir. Vce(on) maksimum 1.85V @ 15V, 100A'da belirtilmiştir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, enerji dönüştürme sistemleri, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığını destekler ve surface mount entegrasyonu için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 300 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok