Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC54T60R3EX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V 100A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC54T60R3EX1SA2
SIGC54T60R3EX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC54T60R3EX1SA2, 600V 100A kapasiteli tekil IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, yüksek anahtarlama hızı ve düşük on-state gerilim özellikleri sunmaktadır. 1.85V Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Die (çip) formunda sunulan ürün, güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve UPS sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. Darbe akımı 300A'ye kadar çıkabilir, bu da geçici yükleme koşullarında iyi bir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok