Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC42T60UNX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC42T60UNX7SA2
SIGC42T60UNX7SA2 Hakkında
SIGC42T60UNX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 50A maksimum kollektor akımı ile tasarlanmıştır. Pulslu modda 150A'a kadar çıkabilen akım kapasitesi bulunmaktadır. Maksimum VCE(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 3.15V olarak belirlenmiştir. Turn-on ve turn-off gecikmesi sırasıyla 48ns ve 350ns'dir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Lütfen dikkat: Bu ürün tüketilmiş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 48ns/350ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok