Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC42T60UNX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC42T60UNX7SA1
SIGC42T60UNX7SA1 Hakkında
SIGC42T60UNX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 3 çip yapılı NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 50A sürekli kollektör akımı ve 150A puls akımı kapasitesine sahiptir. Diyot geri kurtarma süresi ve switching karakteristikleri optimize edilmiştir. Die pakette sunulan bu bileşen, güç elektronikleri devreleri, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Parça güncel üretimde olmayıp stok ürünü olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 48ns/350ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok