Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC42T60UNX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC42T60UNX1SA2
SIGC42T60UNX1SA2 Hakkında
SIGC42T60UNX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Maksimum 50A sürekli kolektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Die paket formatında sunulan komponent, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 48ns aç ve 350ns kapat gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. 3.15V Vce(on) değeri ile enerji verimliliği sağlamaktadır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C) nedeniyle zorlu ortamlarda güvenilir performans gösterir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, mevcut stoklardan temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 48ns/350ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok