Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC42T60UNX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC42T60UNX1SA1

SIGC42T60UNX1SA1 Hakkında

SIGC42T60UNX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör ters yönlü kırılım voltajı ile tasarlanmıştır. 50A maksimum kolektör akımı ve 150A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Surface mount die paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. 400V/50A test koşullarında 3.15V Vce(on) değerine sahip olup, hızlı açılma (48ns) ve kapatma (350ns) özelliğini barındırır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Parça statüsü obsolete olup, eski tasarımlar veya arşiv amaçlı referans için mevcuttur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 48ns/350ns
Test Condition 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok