Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC42T60SNCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC42T60SNCX7SA
SIGC42T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC42T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emiter aralığında çalışabilen bu bileşen, maksimum 50A sürekli akım ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar sunar. -55°C ile +150°C arasında sıcaklık ortamında kullanıma uygundur. 57ns açılış ve 380ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Die paketi halinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, elektrik kaynak cihazları ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. Bileşen artık üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 57ns/380ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok