Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC42T60SNCX1SA2

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC42T60SNCX1SA2

SIGC42T60SNCX1SA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC42T60SNCX1SA2, 600V kolektör-emitör breakdown voltajı ile çalışan NPT tipinde bir IGBT transistördür. 50A maksimum kolektör akımı (150A pulsed) kapasitesine sahip olan bu bileşen, surface mount die paket formatında sunulmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 50A akımda 2.5V'dur. Hızlı anahtarlama özellikleri (57ns on time, 380ns off time) ile güç elektroniği uygulamalarında, şu çalışma sıcaklığı aralığında kullanılmak üzere tasarlanmıştır: -55°C ile 150°C arasında. Endüstriyel kontrolcüler, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Ürün mevcut durumu itibariyle kullanımdan kaldırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 57ns/380ns
Test Condition 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok