Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC42T60NCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC42T60NCX7SA1
SIGC42T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC42T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajında maksimum 50A DC akım ve 150A pulsed akım kapasitesi sunar. Surface Mount Die paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 43ns turn-on ve 130ns turn-off gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel konvertör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 2.5V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 43ns/130ns |
| Test Condition | 300V, 50A, 3.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok