Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC42T60NCX1SA3

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC42T60NCX1SA3

SIGC42T60NCX1SA3 Hakkında

SIGC42T60NCX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kesici-emitör gerilimi ve 50A maksimum kolektör akımına sahip olan bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan transistör, 43ns açılış ve 130ns kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve yenlenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) parametresi 15V gate geriliminde 50A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 43ns/130ns
Test Condition 300V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok