Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC39T60EX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V 75A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC39T60EX7SA1
SIGC39T60EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC39T60EX7SA1, Trench Field Stop teknolojisine dayanan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 75A nominal collector akımı ile tasarlanmıştır. Maksimum 225A pulse akımını destekler. 1.85V Vce(on) @ 15V, 75A ile düşük kondüksyon kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Die formu surface mount uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, invertörler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Standard input tipi ile kontrol devreleri ile entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok