Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC28T65EX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC28T65EX1SA1
SIGC28T65EX1SA1 Hakkında
SIGC28T65EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench Field Stop teknolojisinde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. Die form olarak sunulan bu üç çipli transistör, 50A maksimum DC kolektör akımı ve 150A pulseli akım kapasitesine sahiptir. 1.77V tipik açık durumu voltajı (Vce(on)) ile enerji kaybını minimalize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanan bu IGBT, Standard giriş tipine sahiptir ve Surface Mount montajına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.77V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok