Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC28T60EX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V 50A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC28T60EX7SA1
SIGC28T60EX7SA1 Hakkında
SIGC28T60EX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 50A kapasiteli tekil IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, maksimum 150A darbe akımını destekler. 1.85V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Die paketinde sunulan bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Yüksek voltaj ve akım işleme kapasitesi nedeniyle enerji yönetimi ve kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok