Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60UNX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60UNX7SA2
SIGC25T60UNX7SA2 Hakkında
SIGC25T60UNX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 30A maksimum collector akımı ve 90A pulse akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer alabilir. 3.15V maksimum Vce(on) değeri ile iletim kayıpları sınırlıdır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (16ns turn-on, 122ns turn-off) ile yüksek frekans uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında tasarlanmıştır. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/122ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 1.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok