Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60UNX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60UNX7SA1
SIGC25T60UNX7SA1 Hakkında
SIGC25T60UNX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30A kollektör akımı ve 90A pulse akımı ile çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 30A akımda 3.15V olarak belirlenmiştir. Düşük anahtarlama zamanları (16ns açılış, 122ns kapanış) ile hızlı komutasyon gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/122ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 1.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok