Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC25T60UNX1SA3

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC25T60UNX1SA3

SIGC25T60UNX1SA3 Hakkında

SIGC25T60UNX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistörüdür. Surface mount die paketinde sunulan bu komponen, maksimum 30A kolektör akımı ve 90A puls akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V, 30A koşullarında 3.15V olarak belirlenmiştir. 16ns/122ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme yeteneği sayesinde geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. DC/AC güç dönüştürücüler, motor sürücüler, endüstriyel inverterler ve benzer yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. Ürün durumu obsolete (üretimi durdurulmuş) olup, mevcut stok limitlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 16ns/122ns
Test Condition 400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok