Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60UNX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60UNX
SIGC25T60UNX1SA2 Hakkında
SIGC25T60UNX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kolektör-emiter diyot geriliminde çalışan bu komponent, maksimum 30A kollektör akımı ve 90A pulsed akım kapasitesine sahiptir. Die paket formunda sunulan bu IGBT, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3.15V olup, açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 16ns ve 122ns'dir. Inverter, motor sürücü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Ürün üretimi durdurulmuş olup (Obsolete), mevcut stoklardan temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/122ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 1.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok