Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60UNX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60UNX1SA1
SIGC25T60UNX1SA1 Hakkında
SIGC25T60UNX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ve maksimum 30A sürekli akım kapasitesi ile çalışan bu yarıiletken bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paketinde sunulan bu IGBT, 16ns açılış ve 122ns kapanış süresi ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, güç dönüştürücü, motor sürücü devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) değeri 15V gerilimde 30A akımda 3.15V olarak belirtilmiştir. Part obsolete konumunda olup, yedek veya alternatif bileşen önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/122ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 1.8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok