Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60SNCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60SNCX7SA
SIGC25T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC25T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 90A pulsed collector akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Die paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 44ns açılış ve 324ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 15V gate voltajında 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Günümüzde üretimi durdurulmuş (Obsolete) olsa da arşiv ve bakım uygulamalarında temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/324ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok