Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60SNCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60SNCX1SA2
SIGC25T60SNCX1SA2 Hakkında
SIGC25T60SNCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 30A nominal ve 90A pulse collector akımı kapasitesi ile güç anahtarlama devrelerinde çalışır. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Die paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel invertörler, motor kontrolü ve güç dönüştürme sistemlerinde uygulanır. Td(on) 44ns ve Td(off) 324ns ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/324ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok