Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60SNCX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60SNCX1SA
SIGC25T60SNCX1SA1 Hakkında
SIGC25T60SNCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Maksimum 30A DC collector akımı ve 90A pulsed akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, ön uç endüstriyel uygulamalarda ve güç elektronikleri devrelerinde anahtarlama işlemleri için kullanılmaktadır. 2.5V @ 15V, 30A'de VCE(on) değeri ve 44ns açılış / 324ns kapatılış süresi ile hızlı komütasyon özellikleri sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Inverter, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılabilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/324ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok