Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60NCX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60NCX7SA2
SIGC25T60NCX7SA2 Hakkında
SIGC25T60NCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bu bileşen, maksimum 30A sürekli ve 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan bu IGBT, güç dönüştürme devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Td(on) 21ns ve Td(off) 110ns ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Vce(on) maksimum 2.5V değeri ile düşük açılma gerilimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok