Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60NCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60NCX7SA1
SIGC25T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC25T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 30A collector akımı ile tasarlanmıştır. Surface mount die paket formatında sunulan bu bileşen, pulse akımında 90A kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajda 30A akımda maksimum 2.5V'tur. 21ns açılış ve 110ns kapanış süreleri ile (25°C'de ölçülen) yüksek hız anahtarlaması sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu IGBT, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılan bir elektronik bileşendir. Ürün şu an üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok