Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60NCX1SA7
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60NCX1
SIGC25T60NCX1SA7 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA7, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V desen voltajı ile maksimum 30A kolektör akımı sağlayan bu bileşen, 90A pulse akımına kadar desteklemektedir. Die paket tipinde sunulan komponent, yüzey montajı uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2.5V açık durumda (Vce(on)) gerilim değerine sahip olan transistör, güç dönüştürücü, motor sürücü ve ters çevirici uygulamalarında tercih edilir. Td(on) 21ns ve Td(off) 110ns değerleri ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. Obsolete durumda olan bu ürün, arşiv uygulamaları ve bakım-onarım amaçlı ihtiyaçlarda bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok