Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC25T60NCX1SA6

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC25T60NCX1

SIGC25T60NCX1SA6 Hakkında

SIGC25T60NCX1SA6, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ile güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. 30A nominal kollektör akımı ve 90A pulslu akım kapasitesi ile orta güç devrelerinde kullanılmaya uygundur. Die paket formatında sunulan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir. Eski üretim (obsolete) olduğundan yeni tasarımlarda yerine geçen alternatif bileşenler tercih edilmektedir. Endüstri, enerji dönüşümü ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılagelmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 21ns/110ns
Test Condition 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok