Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60NCX1SA5
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60NCX1SA
SIGC25T60NCX1SA5 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA5, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kollektör-emiter kırılma gerilimi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. Maksimum 30A sabit akım ve 90A darbeli akım kapasitesine sahiptir. 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Die paketleme türü ile wafer seviyesinde entegrasyon için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel kontrol, güç dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılan yüksek voltaj anahtar bileşenidir. Ürün durumu itibariyle üretimi sona ermiş olup, stok sorgulaması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok