Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60NCX1SA4
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60NCX1SA
SIGC25T60NCX1SA4 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT (Non-Punch Through) IGBT transistördür. Bu bileşen üç çip yapısı içeren wafer formunda sunulmakta olup, maksimum 30A sürekli collector akımı ve 90A pulse akımı sağlayabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 30A akımda 2.5V olup, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 21ns/110ns'dir. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu IGBT, standart input tipi ve surface mount montajına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını desteklemektedir. Güç dönüştürme, motor sürücü ve enerji yönetim sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok