Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC25T60NCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC25T60NCX1SA2
SIGC25T60NCX1SA2 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. NPT (Non Punch Through) tipi bu bileşen, maksimum 30A kolektör akımı ve 90A impulsif akım kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan bu IGBT, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A akımda 2.5V'tur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 21ns açılış ve 110ns kapanış sürelerine sahiptir. Parça üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok