Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC19T60SEX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC19T60SEX1SA1

SIGC19T60SEX1SA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC19T60SEX1SA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maksimum 40A sabit akım (Ic) ve 120A darbe akımı (Icm) kapasitesine sahiptir. 1.97V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu üç chip IGBT, şalter modunda çalışan güç elektronik uygulamalarında, frekans konvertörleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Die paket formatında sunulan bileşen, son alım durumundadır ve yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Last Time Buy
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.97V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok