Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC18T60UNX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC18T60UNX1SA2
SIGC18T60UNX1SA2 Hakkında
SIGC18T60UNX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V maksimum collector-emitter breakdown voltajına ve 20A sürekli collector akımına sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Die paket formunda sunulan bu transistör, 15ns açılış ve 65ns kapanış sürelerine sahiptir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 3.15V'tur. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bileşen, güç elektroniği, motor kontrol, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Surface mount uyumlu yapısı kompakt tasarımlara olanak tanır. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/65ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok