Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC18T60UNX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC18T60UNX1SA1
SIGC18T60UNX1SA1 Hakkında
SIGC18T60UNX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V diyot gerilimi ile çalışan bu bileşen, maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Die paketleme formatında sunulan komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini üstlenir. Vce(on) değeri 15V, 20A koşullarında 3.15V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, güç dönüştürme, motor sürücüleri ve indüktif yükler için uygun bir çözümdür. Hızlı açılma (15ns) ve kapanma (65ns) zamanları ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Bileşen üretimden kaldırıldığı için yedek parça uygulamalarında dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/65ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok