Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC18T60SNCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC18T60SNCX7SA
SIGC18T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC18T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 600V breakdow voltajı ve 20A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. NPT (Non-Punch Through) IGBT tipi olarak sınıflandırılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, 36ns açılış ve 250ns kapanış zamanına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışabilir. Esas olarak güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Pulse akımı 60A'e ulaşabilir ve 400V, 20A, 16Ohm koşullarında test edilmiştir. Ürün mevcut olmaması nedeniyle (obsolete) yeni tasarımlar için alternatif bileşen seçimi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 36ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 16Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok