Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC18T60SNCX1SA4
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC18T60SNCX1
SIGC18T60SNCX1SA4 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60SNCX1SA4, 600V breakdown voltajına sahip bir NPT tipi IGBT transistördür. Die format paketleme ile sunulan bu bileşen, maksimum 20A kolektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesiyle çalışır. 36ns açılış ve 250ns kapanış gecikmesi süreleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında çalışacak şekilde tasarlanmıştır. 15V kapı voltajında maksimum 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel anahtarlama, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde kullanılan bu transistör, yüksek voltaj ve akım işleme gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 36ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 16Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok