Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC18T60SNCX1SA3

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC18T60SNCX1SA3

SIGC18T60SNCX1SA3 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60SNCX1SA3, 600V çalışma voltajına sahip NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 20A collector akımı ve 60A pulse collector akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 20A collector akımında 2.5V ile sınırlandırılmıştır. Açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 36ns ve 250ns olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve indüktif yük anahtarlaması işlemlerinde kullanım için tasarlanmıştır. Üretim sonlandırılmış (obsolete) bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 36ns/250ns
Test Condition 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok