Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC18T60SNCX1SA2

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC18T60SNCX1SA

SIGC18T60SNCX1SA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60SNCX1SA2, 600V derecelendirilmiş NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 20A sürekli kolektor akımı ve 60A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 36ns açılış ve 250ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel inverterlerde kullanılır. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı ile yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Parça obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 36ns/250ns
Test Condition 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok