Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC18T60NCX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC18T60NCX7SA2
SIGC18T60NCX7SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX7SA2, 600V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışan tek çipli NPT tipi IGBT transistördür. 20A maksimum DC collector akımı ve 60A pulse collector akımına sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Standart input tipi ve die paket yapısıyla, 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük güç kaybı özellikleri taşır. Motor kontrol, güç dönüştürücü ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 20A, 13Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok