Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC18T60NCX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC18T60NCX7SA1

SIGC18T60NCX7SA1 Hakkında

SIGC18T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 60A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 2.5V on-state voltajı (15V kapı geriliminde, 20A akımda) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Die paket formunda surface mount uygulamalarına uygun olup, endüstriyel motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Td(on/off) değerleri 21ns/110ns olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 21ns/110ns
Test Condition 300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok