Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC18T60NCX1SA6

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC18T60NCX1SA

SIGC18T60NCX1SA6 Hakkında

SIGC18T60NCX1SA6, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V diyot kırılma voltajına ve 20A sürekli kolektör akımına sahiptir. Maksimum 60A darbe akımı kapasitesi bulunmaktadır. Surface mount die paketi ile sunulan bu bileşen, düşük on/off gecikmesi (sırasıyla 21ns/110ns) ve 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel güç kontrol, motor sürücüsü ve anahtarlama güç kaynağı devrelerine uygulanır. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 21ns/110ns
Test Condition 300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok