Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC18T60NCX1SA5

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC18T60NCX1SA5

SIGC18T60NCX1SA5 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX1SA5, 600V kollektör-emiter gerilimi ile tasarlanmış NPT tipi IGBT transistördür. Die form faktörü ile sağlanan bu bileşen, maksimum 20A sürekli akım ve 60A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 21ns açılış ve 110ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 20A akımda maksimum 2.5V'dur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına toleranslı olan bu IGBT, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, şarj sistemleri ve indüktif yük kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. Surface mount paketleme ile entegre edici ürün tasarımına uygun bir çözümdür. Ürün durumu itibariyle üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 21ns/110ns
Test Condition 300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok