Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC18T60NCX1SA4
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC18T60NCX1SA
SIGC18T60NCX1SA4 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX1SA4, NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bu bileşen, maksimum 20A collector akımına ve 60A pulse akımına sahiptir. Surface mount wafer formunda paketlenmiş olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya elverişlidir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. 21ns turn-on ve 110ns turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü ve güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen güncel üretimde bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 20A, 13Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok