Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC18T60NCX1SA3

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC18T60NCX1SA

SIGC18T60NCX1SA3 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX1SA3, 600V voltaj sınıfında çalışan NPT tipi IGBT transistördür. Die paketlemesi ile sunulan bu bileşen, maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 60A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Açılma ve kapanma gecikmesi sırasıyla 21ns ve 110ns'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler ve motor kontrolü gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Üretici tarafından üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 21ns/110ns
Test Condition 300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok