Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC18T60NCX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC18T60NCX1SA
SIGC18T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC18T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipinde IGBT transistördür. 600V collector-emitter açılma gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 20A DC collector akımı ve 60A pulsed akım kapasitesine sahiptir. Surface mount die paketi içinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yer alır. 21ns açılma ve 110ns kapanma süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 20A, 13Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok