Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC15T60EX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V 30A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC15T60EX1SA1
SIGC15T60EX1SA1 Hakkında
SIGC15T60EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/30A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Die paketi olarak sunulan komponentin veri saklama süresi -40°C ile 175°C arasında çalışır. 1.9V @ 15V, 30A on-state voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, invertör devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Standard girdi tipi ve yüksek güvenilirlik özellikleri ile uzun vadeli uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok