Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC158T120R3LEX1SA2

IGBT 1200V 150A DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC158T120R3

SIGC158T120R3LEX1SA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC158T120R3LEX1SA2, 1200V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Die paketinde sunulan bu komponent, 150A nominal ve 450A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 15V gate gerilimi ve 150A kolektör akımında maksimum 2.1V Vce(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. Surface mount konfigürasyonunda tasarlanan bu transistör, endüstriyel şalter devreleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. Standart input tipine sahip olan komponent, 1200V breakddown voltajı ile güvenli çalışma sınırları sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Pulsed (Icm) 450 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok