Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC156T60NR2CX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC156T60NR2CX
SIGC156T60NR2CX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC156T60NR2CX7SA1, 600V kollektör-emiter breakdown voltajı ile tasarlanmış NPT tipi IGBT transistördür. 200A maksimum kolektör akımı ve 600A pulslu akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 200A akımda 2.5V'tur. 180ns/285ns açılma/kapanma süresi ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı uygulamalarda tercih edilmektedir. Ürün hali hazırda üretim dışında kalmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 180ns/285ns |
| Test Condition | 300V, 200A, 1.5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok