Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC156T60NR2CX1SA4
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC156T60NR2
SIGC156T60NR2CX1SA4 Hakkında
SIGC156T60NR2CX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 200A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 600A pulsed akım kapasitesi ile ani yük geçişlerini tolere edebilir. Die paket formatında sunulan bu komponent, switching uygulamaları, motor sürücüleri ve güç dönüştürme devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 180ns açılış ve 285ns kapanış süresi ile hızlı switching performansı sağlar. Vce(on) değeri 2.5V (15V gate voltajında, 200A'de) olarak belirtilmiştir. Mevcut durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 180ns/285ns |
| Test Condition | 300V, 200A, 1.5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok