Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC156T60NR2CX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC156T60NR2
SIGC156T60NR2CX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC156T60NR2CX1SA2, NPT tipi IGBT transistördür. 600V maksimum collector-emitter gerilimi ve 200A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 600A darbe akımı kapasitesi bulunmaktadır. Die paketinde sunulan bu komponentin açma/kapama gecikmesi (Td) sırasıyla 180ns/285ns'dir. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel invertör, motor kontrol, güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olan bu parça, arşiv ve bakım projeleri için stokta bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 180ns/285ns |
| Test Condition | 300V, 200A, 1.5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok