Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC14T60NCX1SA7
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC14T60NCX1SA7
SIGC14T60NCX1SA7 Hakkında
SIGC14T60NCX1SA7, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. NPT (Non Punch Through) teknolojisiyle tasarlanmış bu komponent, wafer die formunda sunulmaktadır. Maximum 15A collector akımı ve 45A pulsed akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 2.5V Vce(on) değeri ile sağlanan düşük iletim kaybı, anahtarlama hızı 21ns on-time ve 110ns off-time ile güvenilir komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, motorlar, solenoidler, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Surface mount die konfigürasyonu ile yüksek yoğunluklu entegrasyona olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 15A, 18Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok